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当无本文由密歇根州立大学ChangyongCao教授和杜克大学JeffreyT.Glass教授课题组合作发表在顶刊AdvancedEnergyMaterials上。多级孔结构（micro/meso/macropores）能够提高材料比表面积，业游有利于电子和离子的传输。多孔碳材料也能通过不同方法富含缺陷，挨骂例如官能团修饰，挨骂杂原子掺杂，或通过自掺杂，如空洞，单/多空位，Stone–Wales缺陷，裂缝，位错，边缘位，晶界等。
题目为：当无BoostingtheElectricalDouble‐LayerCapacitanceofGraphenebySelf‐DopedDefectsthroughBall‐Milling [4].缺陷工程能够调节金属氧化物的电子和晶体结构，当无提高材料的电化学性能。3，业游纯MoS2导电性差，电子只能沿着（002）面传输，而MoS2/氮掺杂碳复合材料，电子通过Mo-N键（类金属键）传输比通过Mn-O（类共价键）传输效率高。
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